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新磊半导体申请分子束外延工艺中的脱膜方法,显著减少外延片表面缺陷:脱膜
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# 温度温度
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金融界2025年5月6日消息,国家知识信息显示,新磊半导体科技(苏州)股份有限公司申请一项名为“一种分子束外延工艺中的脱膜方法”的,公开号CN119913614A,申请日期为2025年3月脱膜。摘
2025-07-14
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脱膜
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